저전압 ‘U-MOS IX-H 시리즈’ MOSFET 라인업 추가
도시바(Toshiba)스토리지/디바이스 솔루션 컴퍼니(Storage & Electronic Devices Solutions Company)가 저전압 N-채널 파워 MOSFET(금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터)의 ‘U-MOS IX-H 시리즈’에 업계 선도의 저 ON-저항 및 고속 성능을 구현하는 40V 및 45V 신제품을 추가한다고 지난 9일 밝혔다.
신제품-40V 버전 9개와 45V 버전 5개-은 고효율 DC-DC 컨버터, 고효율 AC-DC 컨버터, 파워 서플라이 및 모터 드라이브를 포함한 기업 및 소비자 애플리케이션용으로 설계되었으며, 신규 MOSFET은 업계 선도의 저 ON-저항 및 고속 성능을 구현하기 위해 도시바의 차세대 저전압 트렌치 구조 U-MOS IX-H 프로세스를 사용했다.
새로운 구조는 현 도시바 제품을 능가하는 수준으로 애플리케이션 스위칭을 향상시켜 ‘RDS(ON) Qsw’의 성과 지표를 낮췄다. 출력 전하 감소를 통해 효율을 높이고 출력 손실도 개선했다. 아울러 신규 MOSFET에 사용된 셀 구조는 스위칭 중에 스파이크 전압과 울림을 줄이는데 최적화되어 있어, EMI(전자파 간섭)을 감소시킨다.
주요 특징으로는 4.5V 로직 레벨 드라이브를 지원하며, 저 출력 전하, 저소음, 업계 선도의저 ON-저항으로 RDS(ON)= 0.80 mΩ (최대) ＠VGS= 10V (TPWR8004PL), RDS(ON)= 0.99 mΩ (최대) ＠VGS= 10V (TPW1R005PL) 등이 있다.
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