페어차일드가 최근 통신, 서버, 전기 자동차(EV) 충전기 및 태양광 제품에서 요구하는 보다 높은 전력 밀도, 시스템 효율성 및 뛰어난 신뢰성을 충족하는 차세대 MOSFET인 650V N-채널 MOSFET의 SuperFET® III 제품군을 오늘(21일) 출시했다.
출시된 제품군은 동급 최고의 신뢰성, 낮은 EMI, 뛰어난 효율성 및 우수한 열 성능을 갖추고 있어 고성능 응용 분야를 위한 이상적인 선택이며, 성능 특성을 보완한 광범위한 패키지 옵션 덕분에 제품 디자이너가 특히 크기와 제약 조건이 지정된 설계에서 유연성을 크게 발휘할 수 있다고 밝혔다.
또한 SuperFET III 기술은 동급 최고의 효율성을 보여주는 초접합(Super Junction) MOSFET의 모든 간편 실행 버전에서 가장 낮은 Rdson을 제공하며, 이는 당사의 종전 SuperFET II에 비해 동일한 패키지 크기에서 Rdson을 44%까지 감소시키는 최첨단 전하 균형 기술 덕분에 가능하며, 제품의 뛰어난 견고성과 신뢰성의 핵심 요소는 동급 최고의 바디 다이오드, 그리고 가장 유사한 경쟁업체 제품보다 3배 우수한 단일 펄스 애발런치 에너지(EAS) 성능이라고 밝혔다.
특히 650V SuperFET III가 꺼져 있는 동안에는 보다 낮은 피크 드레인 소스 전압이 저온 작동 시 시스템 신뢰성을 향상시키며 이유는 일반적으로 실온에 비해 -25℃의 접합 온도에서는 항복 전압이 5%까지 자연스럽게 떨어지고 드레인 소스 피크전압이 저온에서 더 높아지기 때문이라고 밝혔다.
이러한 신뢰성 장점은 더 높거나 낮은 외부 주변 온도를 견딜 수 있어야 하는 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 EV 충전기 등의 산업 분야에서 특히 중요하다. SuperFET III MOSFET 제품군은 현재 다양한 패키지와 매개변수 옵션으로 제공된다.
한편, 페어차일드 고전력 산업 부문의 총 책임자인 Jin Zhao 부사장은 “어떤 산업에 속해 있든 우리 고객은 새로운 각 제품 세대의 효율성, 성능, 신뢰성에서 획기적인 개선을 추구하는 동시에 신제품을 보다 빠르게 시장에 출시하기 위해 노력하고 있다”며
“우리는 새로운 SuperFET III MOSFET을 설계하면서 고객이 주요 제품 목표를 달성하는 데도 도움을 주기 위해 장치가 BOM 비용 감소, 보드 공간 축소, 제품 설계 간소화 등도 가능하도록 했다”고 밝혔다. 페어차일드의 SuperFET III MOSFET 제품군에 대한 자세한 내용은 fairchildsemi.com/superfet에서 확인할 수 있다.
