미쓰비시 전기(Mitsubishi Electric Corporation)는 Ka 대역(주파수 26GHz ~ 40GHz의 극초단파) 위성 통신 지구국의 전력 증폭기에 사용되는 고주파 디바이스의 신제품으로 Ka 대역 GaN(Gallium Nitride, 갈륨 나이트라이드) HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터) MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit, 모노리식 마이크로파 집적 회로)를 오는 11월부터 발매한다고 5일 밝혔다.

출시된 위성 통신 지구국용 Ka 대역 GaN HEMT MMIC는 특히 고출력화에 뛰어난 GaN 디바이스의 채용과 트랜지스터 구조의 최적화를 통해 낮은 왜곡 특성과 업계 최고 수준의 출력 전력 8W를 실현했다.

또한 Ku 밴드(주파수 12GHz ~ 18GHz의 극초단파)에 추가 Ka 대역 제품의 라인업에서 위성 통신 지구국의 다양한 주파수의 요구에 대응하며, GaN 디바이스의 단일 칩에 여러 개의 증폭용 트랜지스터 정합 회로와 전력 증폭 신호의 왜곡을 보정하는 소자인 리니어 라이저를 탑재해 전력 증폭기의 최종 단의 부품 수를 줄여 위성 통신 지구국의 소형화에 기여한다.

정한영 기자 다른기사 보기