업계 최대의 전류 밀도를 실현하고, 인버터의 고출력·고효율화에 기여
미쓰비시 전기(Mitsubishi Electric Corporation)는 인버터의 새로운 고출력·고효율화와 고 신뢰성에 기여하는 제품과 다양한 인버터의 출력 용량을 지원하는 전류의 고밀도화와 새로운 패키지 구조를 채용한 대형 산업기기용 대용량 전력 반도체 모듈인 ‘HVIGBT(High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor)’ X 시리즈(3.3kV/450A·600A)를 출시한다고 11일 밝혔다.
제품은 CSTBT(Carrier stored Trench Gate Bipolar Transistor) 구조를 채용한 7세대 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor）·RFC 다이오드를 탑재하였으며, Si 모듈로는 업계 최대의 전류 밀도 8.57A/cm2를 실현(3.3kV/600A 제품)했다. 또한 AC 메인 전극을 3 단자 늘려 전류를 분산함으로써 전극 단자의 발열을 완화하고 효율을 증대시킨다.
제품은 주로 전철·철도 차량 등의 구동 시스템과 직류 송전 등 전력 관련 시스템, 대형 산업 기계 등의 인버터에 사용된다. 제품은 오는 9월부터 순차적으로 공급하며, 향후에는 Si(실리콘)에 비해 새로운 저손실화와 고주파 동작이 가능한 SiC(Silicon Carbide)를 이용한 LV100 타입 제품도 출시를 예정하고 있다.
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