인피니언 테크놀로지스는 갈륨 나이트라이드(GaN) 솔루션 CoolGaN™ 600V e-mode HEMT와 GaN EiceDRIVER™ IC 제품을 20일 출시한다. 이들 제품은 더 작고 가벼운 디자인을 가능하게 하여 시스템 비용과 운영비용을 낮춘다. CoolGaN 600V e-mode(enhancement mode) HEMT와 GaN EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 출시함으로서, 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), GaN에 걸쳐서 모든 전력 기술을 제공하는 업계 유일한 회사이다.
새롭게 출시된 CoolGaN 600V e-mode HEMT는 신뢰할 수 있는 ‘normally-off’ 컨셉으로 설계되어, 빠른 턴온 및 턴오프에 최적화되었다. SMPS의 높은 효율과 전력 밀도를 가능하게 하며, 현재 출시된 모든 600V 디바이스 제품 중 최고의 FOM(figures of merit)을 제공한다.
CoolGaN 스위치는 게이트 전하가 매우 낮고 역 전도(reverse conduction) 시에 동적 성능이 뛰어나며, 훨씬 더 높은 주파수 동작이 가능하고, 그럼으로써 수동 소자의 크기를 줄여 전력 밀도를 향상시킨다. CoolGaN 600V e-mode HEMT는 최상의 PFC 효율(2.5kW PFC로 99.3퍼센트이상)과 동일한 효율로 훨씬 높은 밀도(3.6kW LLC 98퍼센트 이상 효율에 160W/in3 이상)를 달성한다. 선형 출력 커패시턴스는 공진 토폴로지에서 데드 타임을 8~10배 줄일 수 있다.
한편 CoolGaN 600V 스위치는 SMD 패키지로 70mΩ 과 190mΩ 제품을 제공하며, 열 성능이 뛰어나고 기생성분이 낮다. 다양한 SMD 패키지로 제공되므로 엔터프라이즈 및 하이퍼스케일 데이터 센터 서버, 텔레콤 정류기, 어댑터, 충전기, SMPS, 무선 충전 등의 애플리케이션에서 고주파수 동작을 지원한다.
