어떻게 하면 전기차(EV)를 더 빠르게 충전할 수 있을까?
어떻게 하면 전기차(EV)를 더 빠르게 충전할 수 있을까?
  • 박현진 기자
  • 승인 2018.04.17 10:53
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전력 반도체에 와이드 밴드갭 기술인 실리콘 카바이드(SiC)를 사용함으로써 고전압에서 전력을 효율적으로 전달할 수 있다.

전세계적으로 전기차 출시가 증가하고 있다. 전기 자동차의 수는 향후 5 년 동안 증가 할 것으로 예상되며 전 세계적으로 50 % 이상의 상당한 성장이 예상된다. 

최근 특히 눈에 띄는 점은, 주행 거리가 현행 200~300마일 대에서 점점 더 늘어나고 있다는 것이다. 그럼으로써 이제 전기차가 모든 주행 상황 및 조건으로 내연 엔진(ICE) 차량에 대한 경쟁력을 갖출 수 있게 되는 것이다.

이처럼 전기차 성공에 대한 중요한 척도는 소비자들의 수용능력이다. 소비자들은 리튬이온 배터리의 가격이 낮아지고 국가별로 규제 지원을 받을 수 있는 것으로 감안할 때, 전기차 가격에 대해서는 우려하지 않는다. 반면 충전 속도는 높이고 충전 시간은 단축하는 문제에 대해 큰 관심을 가지고 있다. 

지금껏 소비자들은 연료 탱크를 몇 분 만에 채울 수 있는 것에 익숙해져 있다. 전기차를 충전하는 데 걸리는 시간은 어느 정도 참고 기다릴 수 있을까?

ICE 차량은 연료 탱크를 가득 채우는 데 5분이 채 걸리지 않는 반면, 전기차는 배터리 팩을 충전하는 데 오랜 시간이 걸린다. 더 심각한 문제는 충전소도 많지 않다는 점이다. 즉, 소비자들은 충전을 위해 오랜 시간 줄을 서서 기다려야 할 수도 있다. 

그렇다면 그 외의 다른 어떤 방법으로 전기차 충전 속도를 높일 수 있을까? 효율적인 전력 전달과 전력 수준을 높이는 것은 충전 속도를 높일 수 있는 방법 중 하나이다. 배터리는 손상을 방지하기 위해서 정전류 기법으로 충전되는데, 국가들마다의 각기 다른규제를 가지기에 전류를 높이는 것이 별 효과가 없거나 가능하지 않을 수 있다. 또한 전류를 높이는 것은 와이어링 하네스 문제를 초래하고 자동차 무게를 증가시킬 수 있다.

그러므로 현실적으로 가능한 해결책은 전압을 400V 혹은 그 이상으로 높이는 방법이다. 전력 반도체에 와이드 밴드갭 기술인 실리콘 카바이드(SiC)를 사용함으로써 고전압에서 전력을 효율적으로 전달할 수 있다.

SiC는 실리콘 기반 전력 스위치(MOSFET과 IGBT)를 대체할 수 있는 와해성 소재로서 부상한 광대역 밴드갭 반도체이다. 많은 자동차 회사들과 충전 시스템 업체들은 이미 SiC를 도입하고 있다. SiC는 손실이 낮기에 효율은 높으며 또한 높은 전압을 견딜 수있다. 그러므로 배터리 전기차의 배터리 전압(400V 이상)이 높아지고 온보드 차저(10kW 이상) 및 오프보드 DC 차저(50kW 이상)로 전력 수준이 높아짐에 따라서 전력 반도체 스위치로인 SiC의 사용이 늘고 있는 것이다.

표 1 : SiC의 고유 물질 특성

SiC는 더 우수한 소재 특성에 의해서 손실이 낮고 고전압 동작이 가능하다. 표 1에서 보는 것처럼 실리콘과 비교해서 온 저항이 낮고, 열 전도율이 높고, 높은 항복 전압이 가능하고, 포화 속도가 빠르다.

이러한 특성을 최대한 활용하기 위해서는 SiC 전력 디바이스를 구동하는 방법을 이해하는 것도 중요하다. 컨트롤러는 스위치를 켜고 끄는 것을 제어하여 전체 전력 전자 회로에 걸쳐서 효율적인 전력 전달을 달성할 수 있다. 컨트롤러와 전력 디바이스사이에 인터페이스로 동작하는 것은 게이트 드라이버이다. 게이트 드라이버가 증폭기처럼 동작해서 컨트롤러 신호를 취하고 이것을 증폭해서 전력 디바이스를 구동한다.

SiC FET의 뛰어난 특성을 활용하기 위해서 적합한 게이트 드라이버를 선택하는 것은 매우 중요하다. 실리콘 MOSFET 또는 IGBT를 구동할 때와는 요구 사항이 다르기 때문이다. 참고로 SiC FET을 효율적으로 구동할 수 있는 TI SiC 게이트 드라이버 제품에 관한 자세한 정보는 http://www.ti.com/sic 에서 확인할 수 있다.

 

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